자연과학 자료실 전기전자 - 트랜지스터의 발명, 트랜지스터의 구조, 트랜지스터의 종류, 트랜지스터의 기호와 명칭, 트랜지스터의 장단점, 트랜지스터의 증폭작용, 트랜지스터의 계측법 분석 다운받기
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[자연과학] 전기전자 - 트랜지스터의 발명, 트랜지스터의 구조, 트랜지스터의 종류, 트랜지스터의 기호와 명칭, 트랜지스터의 장단점, 트랜지스터의 증폭작용, 트랜지스터의 계측법 분석
트랜지스터의 발명, 트랜지스터의 구조, 트랜지스터의 종류, 트랜지스터의 기호와 명칭, 트랜지스터의 장단점, 트랜지스터의 증폭작용, 트랜지스터의 계측법 분석
Ⅰ. 개요
Ⅱ. 트랜지스터의 발명
Ⅲ. 트랜지스터의 구조
Ⅳ. 트랜지스터의 종류
1. 바이폴러 트랜지스터
1) 알로이(합금)형 트랜지스터
2) 메사형 트랜지스터
3) 플레이너현 트랜지스터
4) 에피택셜 플레이너 트랜지스터
2. 전계효과 트랜지스터(FET)
1) 접합형 FET(J-FET)
2) MOS-FET
Ⅴ. 트랜지스터의 기호와 명칭
Ⅵ. 트랜지스터의 장단점
1. 장점
2. 단점
Ⅶ. 트랜지스터의 증폭작용
Ⅷ. 트랜지스터의 계측법
1. PNP형과 NPN형의 계측법
2. 에미터와 컬렉터의 판별법
3. 양부 판별법
참고문헌
Ⅰ. 개요
제 1세대 컴퓨터는 전자관을 이용했고, 제 2세데 컴퓨터는 반도체트랜지스터를 사용했으며, 제 3세대 컴퓨터의 주요부품은...트랜지스터의 발명, 트랜지스터의 구조, 트랜지스터의 종류, 트랜지스터의 기호와 명칭, 트랜지스터의 장단점, 트랜지스터의 증폭작용, 트랜지스터의 계측법 분석
Ⅰ. 개요
Ⅱ. 트랜지스터의 발명
Ⅲ. 트랜지스터의 구조
Ⅳ. 트랜지스터의 종류
1. 바이폴러 트랜지스터
1) 알로이(합금)형 트랜지스터
2) 메사형 트랜지스터
3) 플레이너현 트랜지스터
4) 에피택셜 플레이너 트랜지스터
2. 전계효과 트랜지스터(FET)
1) 접합형 FET(J-FET)
2) MOS-FET
Ⅴ. 트랜지스터의 기호와 명칭
Ⅵ. 트랜지스터의 장단점
1. 장점
2. 단점
Ⅶ. 트랜지스터의 증폭작용
Ⅷ. 트랜지스터의 계측법
1. PNP형과 NPN형의 계측법
2. 에미터와 컬렉터의 판별법
3. 양부 판별법
참고문헌
Ⅰ. 개요
제 1세대 컴퓨터는 전자관을 이용했고, 제 2세데 컴퓨터는 반도체트랜지스터를 사용했으며, 제 3세대 컴퓨터의 주요부품은 SSI, MSI 회로였다. 제 4세대 컴퓨터는 대규모 집적회로를 사용하고 있다. 대규모 집적회로의 출현에 따라 컴퓨터 중에서 마이크로컴퓨터가 출현했고, 4비트에서부터 8비트, 16비트, 32비트로 발전해 왔다. 오늘날 퍼스널 컴퓨터는 Intel사의 전자회로 칩의 모델을 따라 이름짓는데, 286, 386, 486에서 펜티엄(586)까지 발전했다. 반도체 IC 집적도는 DRAM 생산품에서 나날이 새로와지고 있으며, 1K가 세상에 나온 이래 4K, 16K, 64K, 256K를 거쳐 1M 비트로까지 발전하고, 1M비트 이후로 현재 4메가 비트의 생산과 16M 비트의 생산이 대량화되었으며, 64M 비트 생산품이 이미 제작되어 있고, 256M 비트와 1G 비트의 신상품 출현 역시 예고되고 있다.
트랜지스터로 전자관을 대체한 후 인류생활 방면 응용에서 녹음기의 부피가 매우 작아졌고, IC의 발전으로 녹음기, 라디오, 흑백 TV 컬러 TV, 전자스피커, 비디오, CD플레이어, VCD, DVD등 시각, 청각 설비에 일대 혁명이 진행되었다. 머지않아 멀티미디어 기술을 이용하여 라디오 , TV, 전화 팩스 등과 퍼스널 컴퓨터가 하나로 연결되어 가정 내 전자 대세계가 실현될 것이다.
Ⅱ. 트랜지스터의 발명
최초의 트랜지스터는 반도체 표면의 성질을 조사하는 과정에서 우연히 발견되었다. 진공관이 아닌 , 진공 용기를 쓰지 않고 금속과 절연물과 반도체를 조합한 구조로 증폭기를 만드는 소위 고체 증폭기를 만든다는 연구는 훨씬 전 계획되어 진행 되었다.
특히, 트랜지스터발견에 공로가 큰 미국의 연구소는 전화선에서 음성 뿐 아니라 여러 가지 정보 전달 서비스를 가능케 하기 위해 많은 증폭소자가 필요하다는 생각에 진공관의 크기와 발열(진공관의 히터)의 문제점과 진공관의 짧은 수명시간 등을 고려해 볼 때 진공관은 더 이상 실효적이라 할 수 없었다.
그래서 반도체에 의한 증폭소자 개발에 착수하였다. 이것은 세계 2차 대전에 중단되었다가 전 후 다시 재개되어 정제나 단결정 제작이 용이한 게르마늄을 선두로 실리콘을 목표로 기초 연구가 진행되었다.
최초는 현재의 MOSFET(Metal Oxided Semiconductot Field Effice Transistor)에 가까운 절연 게이트 형 FET와 같은 것이 생각되었지만 이론대로 동작하지 않았다. 이 이론도 실제 상황이 엇갈리는 점을 연구하는중, 반도체 표면에서는 결정 내부와는 다른 상태로 되어 있는 것 같다라는 결론을 얻었다. 그리고 그 표면 상태를 바딘과 브래튼이 연구하는 실험중 1947년 12월에 점접촉 트랜지스터의 증폭 작용, 이른바 트랜지스터가 발견되어 1948년 공포 되었다.
점접촉 트랜지스터의 증폭소자는 만들었지만 게르마늄 표면에 50정도 간격으로 2개의 바늘을 세운다는 미묘한 구조 때문에 진동이나 충격에 약하여 생산에는 적합치 않았다.
쇼클리 그룹에서 이 점접촉 트랜지스터의 각종 변경에 대한 실험과 왜 증폭하는가 하는 이론적 해명을 추진한 결과 1948년 쇼클리는 점접촉하지 않고 P접합으로 가능하다는 착안을 얻었다. 그리하여 1949년 P접합 이론과 이것을 이용한 접합 트랜지스터의 가능성을 제시 하였다.
Ⅲ. 트랜지스터의 구조
트랜지스터는 p형과 n형의 반도체 세 개를 결합시킨 소자로써, 그 구성에 따라서 pnp형과 npn형으로 나뉜다. 세 부분의 반도체는 각각 이미터(emitter) E, 베이스 (base) B, 컬렉터 (collector) C로 명명되며, 각각 진공관의 음극(cathode) K, 그리드(grid) G, 양극(plate) P와 비슷한 역할을 한다.
이로부터 어느 경우에든지 이미터-베이스 사이에는 순방향바이어스 (forward bias), 컬렉터-베이스 사이에는 역방향바이어스 (reverse bias)가 걸리는 것을 볼 수 있다. 이러한 바이어스를 정상바이어스(normal bias)라고 한다.
이때 다수캐리어(majority carrier)인 정공(hole)이 이미터에서 베이스로 주입(injection) 되고, 확산(diffusion)에 의해서 베이스를 지나 컬렉터로 이동함으로써 전류가 형성되게 된다. 그런데 베이스의 두께는 매우 얇으므로 이미터에서 베이스로 주입된 정공 중에서 극히 일부만 베이스 안의 전자와 재결합하여 베이스전류를 이루고, 나머지 대다수의 정공은 컬렉터로 흘러 들어가게 된다. 이러한 전류의 분할정도는 바이어스를 바꾸어 줌으로써 변화시킬 수 있다. 순방향바이어스를 증가시키면 이미터전류가 증가하게 되는데, 이때 베이스전류의 변화는 매우 작기 때문에 이미터전류의 증가는 대부분 컬렉터전류의 증가로 이어진다. 즉, 베이스전류의 작은 변화가 컬렉터전류의 큰 변화에 해당되므로 이러한 성질이 앞으로 나오게 될 증폭회로에 이용될 수 있는 것이다.
Ⅳ. 트랜지스터의 종류
1. 바이폴러 트랜지스터
트랜지스터 종류 중의 하나로 보통「트랜지스터」라고 하는데 이는 바이폴러 트랜지스터(bipolar transitor)를 가리키는 것이다.
바이폴러란 2개의 극성을 의미하는데, +와 -의 극성의 캐리어(
자료출처 : http://www.ALLReport.co.kr/search/Detail.asp?pk=14033378&sid=sanghyun7776&key=
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트랜지스터의 발명, 트랜지스터의 구조, 트랜지스터의 종류, 트랜지스터의 기호와 명칭, 트랜지스터의 장단점, 트랜지스터의 증폭작용, 트랜지스터의 계측법 분석
Ⅰ. 개요
Ⅱ. 트랜지스터의 발명
Ⅲ. 트랜지스터의 구조
Ⅳ. 트랜지스터의 종류
1. 바이폴러 트랜지스터
1) 알로이(합금)형 트랜지스터
2) 메사형 트랜지스터
3) 플레이너현 트랜지스터
4) 에피택셜 플레이너 트랜지스터
2. 전계효과 트랜지스터(FET)
1) 접합형 FET(J-FET)
2) MOS-FET
Ⅴ. 트랜지스터의 기호와 명칭
Ⅵ. 트랜지스터의 장단점
1. 장점
2. 단점
Ⅶ. 트랜지스터의 증폭작용
Ⅷ. 트랜지스터의 계측법
1. PNP형과 NPN형의 계측법
2. 에미터와 컬렉터의 판별법
3. 양부 판별법
참고문헌
Ⅰ. 개요
제 1세대 컴퓨터는 전자관을 이용했고, 제 2세데 컴퓨터는 반도체트랜지스터를 사용했으며, 제 3세대 컴퓨터의 주요부품은...트랜지스터의 발명, 트랜지스터의 구조, 트랜지스터의 종류, 트랜지스터의 기호와 명칭, 트랜지스터의 장단점, 트랜지스터의 증폭작용, 트랜지스터의 계측법 분석
Ⅰ. 개요
Ⅱ. 트랜지스터의 발명
Ⅲ. 트랜지스터의 구조
Ⅳ. 트랜지스터의 종류
1. 바이폴러 트랜지스터
1) 알로이(합금)형 트랜지스터
2) 메사형 트랜지스터
3) 플레이너현 트랜지스터
4) 에피택셜 플레이너 트랜지스터
2. 전계효과 트랜지스터(FET)
1) 접합형 FET(J-FET)
2) MOS-FET
Ⅴ. 트랜지스터의 기호와 명칭
Ⅵ. 트랜지스터의 장단점
1. 장점
2. 단점
Ⅶ. 트랜지스터의 증폭작용
Ⅷ. 트랜지스터의 계측법
1. PNP형과 NPN형의 계측법
2. 에미터와 컬렉터의 판별법
3. 양부 판별법
참고문헌
Ⅰ. 개요
제 1세대 컴퓨터는 전자관을 이용했고, 제 2세데 컴퓨터는 반도체트랜지스터를 사용했으며, 제 3세대 컴퓨터의 주요부품은 SSI, MSI 회로였다. 제 4세대 컴퓨터는 대규모 집적회로를 사용하고 있다. 대규모 집적회로의 출현에 따라 컴퓨터 중에서 마이크로컴퓨터가 출현했고, 4비트에서부터 8비트, 16비트, 32비트로 발전해 왔다. 오늘날 퍼스널 컴퓨터는 Intel사의 전자회로 칩의 모델을 따라 이름짓는데, 286, 386, 486에서 펜티엄(586)까지 발전했다. 반도체 IC 집적도는 DRAM 생산품에서 나날이 새로와지고 있으며, 1K가 세상에 나온 이래 4K, 16K, 64K, 256K를 거쳐 1M 비트로까지 발전하고, 1M비트 이후로 현재 4메가 비트의 생산과 16M 비트의 생산이 대량화되었으며, 64M 비트 생산품이 이미 제작되어 있고, 256M 비트와 1G 비트의 신상품 출현 역시 예고되고 있다.
트랜지스터로 전자관을 대체한 후 인류생활 방면 응용에서 녹음기의 부피가 매우 작아졌고, IC의 발전으로 녹음기, 라디오, 흑백 TV 컬러 TV, 전자스피커, 비디오, CD플레이어, VCD, DVD등 시각, 청각 설비에 일대 혁명이 진행되었다. 머지않아 멀티미디어 기술을 이용하여 라디오 , TV, 전화 팩스 등과 퍼스널 컴퓨터가 하나로 연결되어 가정 내 전자 대세계가 실현될 것이다.
Ⅱ. 트랜지스터의 발명
최초의 트랜지스터는 반도체 표면의 성질을 조사하는 과정에서 우연히 발견되었다. 진공관이 아닌 , 진공 용기를 쓰지 않고 금속과 절연물과 반도체를 조합한 구조로 증폭기를 만드는 소위 고체 증폭기를 만든다는 연구는 훨씬 전 계획되어 진행 되었다.
특히, 트랜지스터발견에 공로가 큰 미국의 연구소는 전화선에서 음성 뿐 아니라 여러 가지 정보 전달 서비스를 가능케 하기 위해 많은 증폭소자가 필요하다는 생각에 진공관의 크기와 발열(진공관의 히터)의 문제점과 진공관의 짧은 수명시간 등을 고려해 볼 때 진공관은 더 이상 실효적이라 할 수 없었다.
그래서 반도체에 의한 증폭소자 개발에 착수하였다. 이것은 세계 2차 대전에 중단되었다가 전 후 다시 재개되어 정제나 단결정 제작이 용이한 게르마늄을 선두로 실리콘을 목표로 기초 연구가 진행되었다.
최초는 현재의 MOSFET(Metal Oxided Semiconductot Field Effice Transistor)에 가까운 절연 게이트 형 FET와 같은 것이 생각되었지만 이론대로 동작하지 않았다. 이 이론도 실제 상황이 엇갈리는 점을 연구하는중, 반도체 표면에서는 결정 내부와는 다른 상태로 되어 있는 것 같다라는 결론을 얻었다. 그리고 그 표면 상태를 바딘과 브래튼이 연구하는 실험중 1947년 12월에 점접촉 트랜지스터의 증폭 작용, 이른바 트랜지스터가 발견되어 1948년 공포 되었다.
점접촉 트랜지스터의 증폭소자는 만들었지만 게르마늄 표면에 50정도 간격으로 2개의 바늘을 세운다는 미묘한 구조 때문에 진동이나 충격에 약하여 생산에는 적합치 않았다.
쇼클리 그룹에서 이 점접촉 트랜지스터의 각종 변경에 대한 실험과 왜 증폭하는가 하는 이론적 해명을 추진한 결과 1948년 쇼클리는 점접촉하지 않고 P접합으로 가능하다는 착안을 얻었다. 그리하여 1949년 P접합 이론과 이것을 이용한 접합 트랜지스터의 가능성을 제시 하였다.
Ⅲ. 트랜지스터의 구조
트랜지스터는 p형과 n형의 반도체 세 개를 결합시킨 소자로써, 그 구성에 따라서 pnp형과 npn형으로 나뉜다. 세 부분의 반도체는 각각 이미터(emitter) E, 베이스 (base) B, 컬렉터 (collector) C로 명명되며, 각각 진공관의 음극(cathode) K, 그리드(grid) G, 양극(plate) P와 비슷한 역할을 한다.
이로부터 어느 경우에든지 이미터-베이스 사이에는 순방향바이어스 (forward bias), 컬렉터-베이스 사이에는 역방향바이어스 (reverse bias)가 걸리는 것을 볼 수 있다. 이러한 바이어스를 정상바이어스(normal bias)라고 한다.
이때 다수캐리어(majority carrier)인 정공(hole)이 이미터에서 베이스로 주입(injection) 되고, 확산(diffusion)에 의해서 베이스를 지나 컬렉터로 이동함으로써 전류가 형성되게 된다. 그런데 베이스의 두께는 매우 얇으므로 이미터에서 베이스로 주입된 정공 중에서 극히 일부만 베이스 안의 전자와 재결합하여 베이스전류를 이루고, 나머지 대다수의 정공은 컬렉터로 흘러 들어가게 된다. 이러한 전류의 분할정도는 바이어스를 바꾸어 줌으로써 변화시킬 수 있다. 순방향바이어스를 증가시키면 이미터전류가 증가하게 되는데, 이때 베이스전류의 변화는 매우 작기 때문에 이미터전류의 증가는 대부분 컬렉터전류의 증가로 이어진다. 즉, 베이스전류의 작은 변화가 컬렉터전류의 큰 변화에 해당되므로 이러한 성질이 앞으로 나오게 될 증폭회로에 이용될 수 있는 것이다.
Ⅳ. 트랜지스터의 종류
1. 바이폴러 트랜지스터
트랜지스터 종류 중의 하나로 보통「트랜지스터」라고 하는데 이는 바이폴러 트랜지스터(bipolar transitor)를 가리키는 것이다.
바이폴러란 2개의 극성을 의미하는데, +와 -의 극성의 캐리어(
자료출처 : http://www.ALLReport.co.kr/search/Detail.asp?pk=14033378&sid=sanghyun7776&key=
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파일이름 : [자연과학] 전기전자 - 트랜지스터의 발명, 트랜지스터의 구조, 트랜지스터의 종류, 트랜지스터의 기호와 명칭, 트랜지스터의 장단점, 트랜지스터의 증폭작용, 트랜지스터의 계측법 분석.hwp
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